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Artigo de periodico
Capacitance-voltage characteristics of InAs dots: a simple model (2002)
Chiquito, Adenilson José; Pusep, Yuri A; Mergulhao, S; Galzerani, J C
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA), FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CHIQUITO, Adenilson José et al. Capacitance-voltage characteristics of InAs dots: a simple model. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 3, p. 784-789, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000400020. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Chiquito, A. J., Pusep, Y. A., Mergulhao, S., & Galzerani, J. C. (2002). Capacitance-voltage characteristics of InAs dots: a simple model. Brazilian Journal of Physics, 32( 3), 784-789. doi:10.1590/s0103-97332002000400020
NLM
Chiquito AJ, Pusep YA, Mergulhao S, Galzerani JC. Capacitance-voltage characteristics of InAs dots: a simple model [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 3): 784-789.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000400020
Vancouver
Chiquito AJ, Pusep YA, Mergulhao S, Galzerani JC. Capacitance-voltage characteristics of InAs dots: a simple model [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 3): 784-789.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000400020
Artigo de periodico
Parallel conductivity of random GaAs/AlGaAs superlattices in regime of controlled vertical disorder (2002)
Pusep, Yuri A.; Chiquito, Adenilson José; Mergulhao, S; Toropov, A I
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Parallel conductivity of random GaAs/AlGaAs superlattices in regime of controlled vertical disorder. Journal of Applied Physics, v. 92, n. 7, p. 3830-3834, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1506002. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Chiquito, A. J., Mergulhao, S., & Toropov, A. I. (2002). Parallel conductivity of random GaAs/AlGaAs superlattices in regime of controlled vertical disorder. Journal of Applied Physics, 92( 7), 3830-3834. doi:10.1063/1.1506002
NLM
Pusep YA, Chiquito AJ, Mergulhao S, Toropov AI. Parallel conductivity of random GaAs/AlGaAs superlattices in regime of controlled vertical disorder [Internet]. Journal of Applied Physics. 2002 ;92( 7): 3830-3834.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1506002
Vancouver
Pusep YA, Chiquito AJ, Mergulhao S, Toropov AI. Parallel conductivity of random GaAs/AlGaAs superlattices in regime of controlled vertical disorder [Internet]. Journal of Applied Physics. 2002 ;92( 7): 3830-3834.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1506002
Trabalho de evento
Capacitance spectroscopy of InAS/GaAs quantum dots structures (2001)
Chiquito, A J; Pusep, Yuri A; Mergulhao, S; Galzerani, J C; Moshegov, N T
Source: Proceedings. Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
CHIQUITO, A J et al. Capacitance spectroscopy of InAS/GaAs quantum dots structures. 2001, Anais.. Berlin: Springer-Verlag, 2001. . Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Chiquito, A. J., Pusep, Y. A., Mergulhao, S., Galzerani, J. C., & Moshegov, N. T. (2001). Capacitance spectroscopy of InAS/GaAs quantum dots structures. In Proceedings. Berlin: Springer-Verlag.
NLM
Chiquito AJ, Pusep YA, Mergulhao S, Galzerani JC, Moshegov NT. Capacitance spectroscopy of InAS/GaAs quantum dots structures. Proceedings. 2001 ;[citado 2024 abr. 27 ]
Vancouver
Chiquito AJ, Pusep YA, Mergulhao S, Galzerani JC, Moshegov NT. Capacitance spectroscopy of InAS/GaAs quantum dots structures. Proceedings. 2001 ;[citado 2024 abr. 27 ]
Trabalho de evento-resumo
Estudo do transporte de portadores de cargas em polianilinas atraves da injecao de eletrons utilizando feixe eletronico (1997)
Santos, L F; Faria, Roberto Mendonça; Mergulhao, S; Chinaglia, D L
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, POLÍMEROS (QUÍMICA ORGÂNICA)
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ABNT
SANTOS, L F et al. Estudo do transporte de portadores de cargas em polianilinas atraves da injecao de eletrons utilizando feixe eletronico. 1997, Anais.. São Paulo: SBF, 1997. . Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Santos, L. F., Faria, R. M., Mergulhao, S., & Chinaglia, D. L. (1997). Estudo do transporte de portadores de cargas em polianilinas atraves da injecao de eletrons utilizando feixe eletronico. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Santos LF, Faria RM, Mergulhao S, Chinaglia DL. Estudo do transporte de portadores de cargas em polianilinas atraves da injecao de eletrons utilizando feixe eletronico. Resumos. 1997 ;[citado 2024 abr. 27 ]
Vancouver
Santos LF, Faria RM, Mergulhao S, Chinaglia DL. Estudo do transporte de portadores de cargas em polianilinas atraves da injecao de eletrons utilizando feixe eletronico. Resumos. 1997 ;[citado 2024 abr. 27 ]
Artigo de periodico
Electron time-of flight measurements in sulfur interpreted via an extra surface mobility channel (1988)
Mergulhao, S; Leal Ferreira, Guilherme Fontes; Moreno, R A; Figueiredo, Mariângela Tassinari de
Source: Physical Review B. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
MERGULHAO, S et al. Electron time-of flight measurements in sulfur interpreted via an extra surface mobility channel. Physical Review B, v. no 1988, n. 14, p. 9838-42, 1988Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.38.9838. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Mergulhao, S., Leal Ferreira, G. F., Moreno, R. A., & Figueiredo, M. T. de. (1988). Electron time-of flight measurements in sulfur interpreted via an extra surface mobility channel. Physical Review B, no 1988( 14), 9838-42. doi:10.1103/physrevb.38.9838
NLM
Mergulhao S, Leal Ferreira GF, Moreno RA, Figueiredo MT de. Electron time-of flight measurements in sulfur interpreted via an extra surface mobility channel [Internet]. Physical Review B. 1988 ; no 1988( 14): 9838-42.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.38.9838
Vancouver
Mergulhao S, Leal Ferreira GF, Moreno RA, Figueiredo MT de. Electron time-of flight measurements in sulfur interpreted via an extra surface mobility channel [Internet]. Physical Review B. 1988 ; no 1988( 14): 9838-42.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.38.9838

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